Бренд

HIKSEMI

Емкость

512 ГБ

Тип флэш-памяти

3D NAND

Форм-фактор

M.2 2280

Интерфейс

PCI-E 3.0

Тип разъема M.2

2280

Тип PCI-E

PCI-E 3.0 x4

Макс. скорость интерфейса

2500 МБ/с

Скорость чтения

2500 МБ/с

Скорость записи

1025 МБ/с

Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)

225 IOPS

Ударостойкость и ресурс работы

Время наработки на отказ

1500000 ч